3D DRAM验证成功 AI内存将迎来革命
2026年4月23日，美国新创人工智能和存储技术厂商NEO Semiconductor正式宣布，其3D X-DRAM技术已成功完成概念验证（Proof-of-Concept，POC），证明这种新型3D堆叠内存可以利用现有的3D NAND Flash生产线进行制造，为AI时代的高密
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